半導體材料質量分析介紹

半導體材料質量分析的手段主要有XRD、HRXRD、XRD mapping、AFM、TEM等。XRD 即X-ray diffraction 的縮寫，中文翻譯是X射線衍射，通過對材料進行X射線衍射，分析其衍射圖譜，獲得材料的成分、材料內部原子或分子的結構或形態(tài)等信息的研究手段。用于確定晶體的原子和分子結構。其中晶體結構導致入射X射線束衍射到許多特定方向。高分辨X射線衍射（HRXRD）對被測樣品的結晶特性進行表征，包括取向性、外延關系、晶粒尺寸、缺陷密度，以及對低維異質結構的結晶質量和結構參數(shù)的表征。AFM全稱Atomic Force Microscope，即原子力顯微鏡，它是繼掃描隧道顯微鏡（Scanning TunnelingMicroscope）之后發(fā)明的一種具有原子級高分辨的新型儀器，可以在大氣和液體環(huán)境下對各種材料和樣品進行納米區(qū)域的物理性質包括形貌進行探測，或者直接進行納米操縱。TEM透射電子顯微鏡（英語：Transmissionelectron microscope，縮寫TEM），簡稱透射電鏡，是把經(jīng)加速和聚集的電子束投射到非常薄的樣品上，電子與樣品中的原子碰撞而改變方向，從而產(chǎn)生立體角散射。散射角的大小與樣品的密度、厚度相關，因此可以形成明暗不同的影像。

（SEM設備圖）

（TEM設計圖）

拋光漿料配方分析